A Highly Linear Low-Area CMOS Image Sensor
سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 507
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ETECH04_020
تاریخ نمایه سازی: 27 بهمن 1398
چکیده مقاله:
This paper presents a high-linearity pixel readout circuit for use in CMOS image sensors. Nonlinearity, total input referred noise, and power consumption of the proposed readout circuit are -60 dB, 411 nV2, and 68 μW, respectively. The proposed pixel readout circuit occupies low silicon area. So, it is suitable for use in a low cost and high precision CMOS imager. Proposed pixel readout circuit has been designed using TSMC 0.18μm 1-poly 4-metal standard CMOS process.
کلیدواژه ها:
CMOS image sensors ، pixel readout circuit ، Single slope ADC ، fixed pattern noise ، Comparator and ramp generator.
نویسندگان
Masood Teymouri
faculty of electrical engineering Urmia University of Technology Urmia, Iran