تهیه نانوکامپوزیت مغناطیسی پلی آنیلین و بررسی کاربرد آن در حذف دی بنزوتیوفن

وجود ترکیبات آلی سولفوردارمانند دی بنزوتیوفن (DBT) در سوخت های حمل و نقل نه تنها یک منبع عمده باران اسیدی است، بلکه دلیل بسیاری از بیماری های جدی سیستم تنفسی انسان مانند سرطان ریه است. بر این اساس، حذف موثر DBT بسیار مهم است. در این پژوهش، نانو ذرات مغناطیسی به روش هم رسوبی سنتز شدند و سپس این نانو ذرات طی فرآیند پلیمریزاسیون اکسایش شیمیایی در محیط مایسلی با استفاده از سدیم دو دسیل سولفات به عنوان سورفکتانت به وسیله لایه نازکی از پلی آنیلین پوشش داده شدند. محصول سنتزی با استفاده از روش های میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM)، پراش اشعه ایکس (XRD) و طیف سنجی تبدیل فوریه مادون قرمز(FTIR) شناسایی شد. مدل های ایزوترم لانگمویر و فروندلیچ برای مطابقت داده های تعادلی برای نانوکامپوزیت مغناطیسی استفاده شدند. فرآیند جذب به خوبی توسط مدل لانگمویر (9899/0) توصیف می شود. جاذب مغناطیسی بیشینه ظرفیت جذب 42/118 میلی گرم بر گرم را در شرایط بهینه (مقدار جاذب؛ 01/0 گرم، زمان تماس؛ 15 دقیقه؛ pH؛ 3/9) فراهم کرد. و بیشینه ظرفیت جذب 42/118 میلی گرم بر گرم محاسبه گردید.

کلیدواژه ها:

نانوکامپوزیت مغناطیسی ، حذف دی بنزوتیوفن ، جاذب