طراحی و بررسی عملکرد یک تقویت کننده CMOS دو طبقه 0.18μm ، 1.8V با افت توان پایین
محل انتشار: اولین همایش متخصصین برق و کامپیوتر
سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,389
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IAEEECHB01_014
تاریخ نمایه سازی: 1 مرداد 1389
چکیده مقاله:
این مقاله به معرفی نتایج یک پژوهش در مورد طراحی و شبیه سازی یک تقویت کنندهCMOS دو طبقه با استفاده از تکنولوژی 0.18μm می پردازد. در طراحی تقویت کننده های عملیاتی دو طبقه در صورتی که از روش جبرانسازی میلری استفاده شود مدار پایدارتر خواهد شد. بهره DC این تقویت کننده بالا و مقدار THD آن پایین می باشد. افت توان در این مدار پایین و جریان بایاس آن کوچک می باشد. این مدار سوئینگ ولتاژی در حدود1Vp-p داشته و ابعاد آن در صورت استفاده از تکنولوژی μm0.18 کوچک خواهد بود. در نتیجه این تقویت کننده برای استفاده در سیستم های الکترونیکی و مخابراتی مناسب می باشد
نویسندگان
پیمان کرمی
دانشگاه جامع علمی کاربردی مینو- خرم دره
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :