طراحی تقویت کننده کم نویز پهن باند دارای عدد نویز پایین و بهره بالا با استفاده از ساختار کسکود و سلف پیکینگ

سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 282

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NCIRES01_070

تاریخ نمایه سازی: 27 آذر 1398

چکیده مقاله:

تقویت کننده های کم نویز، یکی از اجزای اساسی گیرنده در مخابرات بی سیم محسوب می شوند. زیرا عملکرد آن ها کارایی سیستم را، ازنظر نویز مشخص می کند. از مهم ترین مشخصات تقویت کننده کم نویز بهرهٔ بالا، عدد نویز پایین، تطبیق امپدانس ورودی با باند گسترده و یک خاصیت خطی خوب است. در این مقاله یک تقویت کننده کم نویز CMOS پهن باند برای باند فرکانسی 10-3 گیگاهرتز ارائه شده است. هدف از طراحی مدار پیشنهادی کاهش نویز و بهره بالا است که بدین منظور تقویت کننده کم نویز توزیع شده، ارائه می گردد. تقویت کننده کم نویز ارائه شده با استفاده از تکنولوژی 0/18 میکرومتر CMOS طراحی شده است. درنهایت باید به عدد نویز حدود dB 4 و پهنای باند 10-3 گیگاهرتز و بهره بالادست یابیم.

کلیدواژه ها:

بهره بالا ، تقویت کنندهٔ کم نویز ، عدد نویز ، فرا پهن باند

نویسندگان

فاطمه پورولی

دانشجوی کارشناسی ارشد، آموزش عالی روز بهان