آرایه حافظه SRAM و16 بیتی با پیکر بندی 4*4 با ساختار جدید برای مدار تقویتکننده حسی و اعمال سیگنال های کنترلی خواندن / نوشتن مجزا

سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,977

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

YAZDEEC01_060

تاریخ نمایه سازی: 7 تیر 1389

چکیده مقاله:

حافظه بخش مهمی درمدارهای دیجیتال به شمار میرود یکی از انواع مهم حافظه حافظه با دستیابی تصادفی اتاتیک SRAM است بهینه سازی هرقسمتی از مدار این حافظه می تواند به صرفه جویی عهظیمی در سرعت و هزینه مدارات کامپیوتری منجر شود مدار تقویت کننده حسی جزء لاینفک مدارات SRAM جهت عمل خواندن این حافظه ها به شمار می رود طریق اعمال سیگنالهای ترکیبی مناسب نیز درعملکرد تراشه حافظه بسیار تاثیرگذار است دراین مقاله حافظه استاتیک 16 بیتی ارائه شده است که برخلاف مدارهای متداول تقویتکننده حسی دارای ورودی و خروجی مجزا است.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده حسی ، حافظه SRAM ، خطوط کنترلی خواندن و نوشتن ، دیکدر ستونی ، دیکدر سطری

نویسندگان

سعید عطابخش

دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Sedra, Adel S Smith, Ken8 C. _ 'Micro electronic circuits" ...
  • Shin-Pao Cheng and Shi-Yu Huang Member, IEEE _ Low-Power SRAM ...
  • Behnam Amelifard, Farzan Fallah, and Massoud Pedram, "Low-leakage SRAM design ...
  • _ _ on Quality ...
  • Koji Ni, Hiroshi Makino, Yoshiki Tujihashi, Chikayoshi Morishima, Yasushi Hayakawa, ...
  • Bernhard Wicht, Doris S chrn ift-tandsiedeh , Stten Paul, Anthony ...
  • Simon J. Lovett, Gary A. Gibbs, and Ashish Pancholy "Yield ...
  • _ _ _ _ Writing Technique" IEEE JOURNAL OF SOLID- ...
  • نمایش کامل مراجع