یک تقویت کننده CMOS دو طبقه 0.18μm ، 1.8V با افت توان پایین

سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,146

فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

CHKI01_024

تاریخ نمایه سازی: 8 دی 1388

چکیده مقاله:

در طراحی تقویت کننده های عملیاتی دو طبقه در صورتی که از روش جبرانسازی میلری استفاده شود مدار پایدارتر خواهد شد. بهره DC این تقویت کننده بالا و مقدار THD آن پایین می باشد. افت توان در این مدار پایین و جریان بایاس آن کوچک می باشد. این مدار سوئینگ ولتاژی در حدود 1Vp-p داشته و ابعاد آن در صورت استفاده از تکنولوژی 0.18µm ، کوچک خواهد بود. در نتیجه این تقویت کننده برای استفاده در سیستم های الکترونیکی و مخابراتی مناسب می باشد

نویسندگان

پیمان کرمی

کارشناسی ارشد مهندسی برق گرایش الکترونیک، قزوین، بولوار پژوهشگران،

توحید زرگر ارشادی

دکترای مهندسی برق گرایش مخابرات

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • McGraw Hil. New York, pp. 137- .dع 3- D. A. ...
  • D. Jolns and K. Martin, Analog integrated circuit design. John ...
  • B. Razavi , Design of analog CMOS integrated circuits. McGraw ...
  • نمایش کامل مراجع