اثرات سطحی میدان مغناطیسی روی نانوکامپوزیت FePt/CNT نشانده شده روی ویفر سیلیکون

یک روش جدید برای جلوگیری از کلوخه شدن نانو ذرات در حین انیل، استفاده از نانولوله های عاملداراست. در این مقاله نانو ذرات FePt را با استفاده از یک روش پلی یل سنتز نموده و به روی نانولوله های عاملدار می نشانیم. سپس نانوکامپوزیت تولید شده را با استفاده از روش dip coating روی زیر لایه هایی از جنس سیلیکون با و بدون حضور میدان لایه نشانی نموده و برای گذار از فاز fcc به فاز fct انیل مینماییم. در طی آزمایش، اثرات حضور میدان مغناطیسی را حین لایه نشانی در خصوصیاتی همانند اندازه ی ذرات، ارتفاع پیکها، گذار فاز و میزان زبری سطح لایه نشانی شده را با استفاده از آنالیزهای TEM,AFM,SEM قبل و پس از انیل بررسی و مقایسه می نماییم.

کلیدواژه ها:

عاملدار کردن ، ناهمسانگردی ، اثرات مغناطیسی