رشد فیلم های نازک AIN بر Si(111) به عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستور های اثر میدانی

فیلمی از نیترید آلومینیوم را در دمای محیط و در شرایط فشار بسیار پایین بر زیرلایه ی سیلیکون (111) رشد داده و این فیلم در دماهای مختلف باز پخت گردید. ساختار این فیلم نازک با استفاده از تکنیک های مختلف از جمله AES و XRD بررسی شد. بررسی ساختار پیوندی توده فیلم AIN و زیرلایه مشترک نشان می دهد که ساختار موجود آمورف بوده و در کنار ویژگی هایی نظیر ثابت دی الکتریک بالا و پایداری گرمایی، می تواند در کاهش مشکلات گیت اکسید سیلیکون در نانو ترانزیستورها مناسب باشد.