بررسی گاف باند ساختارهای لایه ای یک بعدی باضخامت هاوضرایب شکست وابسته به مکان

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 233

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

IPC93_353

تاریخ نمایه سازی: 5 آذر 1398

چکیده مقاله:

دراین مقاله طیف عبوری بلور فوتونی یک بعدی با ساختار A B m متشکل از لایه ای با ضخامت و ضریب شکست وابسته به مکان بررسی شده است. در اینجا، چهار ساختار با را ه های نوری یکسان در نظر گرفته شده است. در ساختار اول، ضریب شکست و ضخامت لایه ها ثابت هستند. ضخامت لایه های A در ساختار دوم وابسته به مکان فرض شده اند. در ساختار سوم،ضریب شکست لایه های B بلور فوتونی وابسته به مکان هستند. درساختار آخر، ضخامت لایه های A و ضریب شکست لایه های B وابسته به مکان در نظر گرفته شده اند. نتایج بررسی های ما نشان می دهند که همه ساختارها دارای گاف باندی هستند که پهنای آن شدیدا به نوع ساختار به کار رفته بستگی دارد. همچنین نشان داده ایم که پهن ترین گاف باند به ساختاری متعلق است که دارای ضریب شکست و ضخامت وابسته به مکان است.

نویسندگان

صمد روشن انتظار

دانشکده فیزیک دانشگاه تبریز

رامین ظهرابی

دانشکده فیزیک دانشگاه تبریز