مطالعه اثر پارامترهای لایه نشانی بر خواص فیزیکی لایه های نازک اکسید قلع تهیه شده به روش بخار شیمیایی

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید قلع به روش بخار شیمیایی بر روی بسترهای شیشه ای تهیه شده است. سپس، اثر شار اکسیژن، شار نیتروژن و زمان لایه نشانی بر روی خواص اپتیکی و الکتریکی لایه ها مورد مطالعه قرار گرفته است. لایه های تهیه شده بوسیله اندازه گیری مقاومت الکتریکی با روش دواتصالی، اثرهال، اثرفوتورسانایی و جذب نوری (UV-vis) مشخصه یابی شدند. متوسط گاف نوری لایه ها 3/8 eV میباشد. نتایج اثر هال نشان میدهد که حاملهای اکثریت در همه نمونه ها نوع n میباشند و غلظت حاملها در گستره 1/15×1019 -3/41×1018cm-3 تغییر میکند. افزایش شار اکسیژن باعث کاهش گاف اپتیکی و افزایش مقاومت ویژه و حساسیت نوری میشود. افزایش شار نیتروژن منجر به کاهش گاف اپتیکی، مقاومت ویژه و حساسیت نوری میشود. افزایش زمان لایه نشانی، باعث روند افزایشی- کاهشی گاف اپتیکی، روند کاهشی- افزایشی مقامت ویژه و افزایش حساسیت نوری میشود.