بررسی تاثیر غلظت فسفر بر عملکرد سلول های خورشیدی حالت جامد پایه سیلیکون متخلخل
محل انتشار: مجله مواد و فناوریهای پیشرفته، دوره: 8، شماره: 1
سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 452
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JEMI-8-1_007
تاریخ نمایه سازی: 6 آبان 1398
چکیده مقاله:
در پژوهش حاضر، تاثیر غلظت فسفر در محلول آلاینده بر عملکرد سلولهای خورشیدی حالت جامد پایه سیلیکون متخلخل مورد بررسی قرار گرفت. برای این منظور بسترهای سیلیکونی به روش حکاکی شیمیایی توسط نقره و با استفاده از محلول حکاکی آبی حاوی هیدروفلوریک اسید و هیدروژنپروکسید به نسبتهای 82/0، 87/0 و 89/0 حکاکی شدند و خصوصیات نوری و سطحی آنها به ترتیب توسط بازتابسنجی و میکروسکوپهای نوری و الکترونی روبشی گسیل میدانی مورد ارزیابی قرار گرفتند. در ادامه، سلولهای خورشیدی با نفوذ فسفر در سه غلظت 3%، 9% و 15% در محلول آلاینده به درون بستر سیلیکونی با تخلخل بهینه ساخته شدند. نتایج مشخص کرد که سیلیکون حکاکی شده با هیدروفلوریک اسید و هیدروژن پروکسید به نسبت 82/0 به دلیل برخورداری از تخلخلهای یکنواخت و با اندازه نزدیک به ذرات نقره دارای بازتابی در حدود 11% شد که بهترین بستر برای جذب حداکثر میزان نور برخوردی به شمار میرود. بررسی عملکرد فوتوولتاییک سلولهای ساخته شده بیانگر افزایش 98% جریان مدار کوتاه سلول آلایش یافته با غلظت 3% از فسفر است که بازده کل سلول را به میزان 6/10% افزایش داده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
شیرین محمودی
پژوهشکده نیمه هادیها، پژوهشگاه مواد و انرژی، کرج، ایران
مجمد جواد اشراقی
پژوهشکده نیمه هادیها، پژوهشگاه مواد و انرژی،، کرج، ایران
بنیامین یارمند
پژوهشکده نانو و مواد پیشرفته، پژوهشگاه مواد و انرژی، کرج، ایران
نیما نادری
پژوهشکده نیمه هادیها، پژوهشگاه مواد و انرژی، کرج، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :