ایجاد تخلخل نانومتری روی سطح ویفر سیلیکون با استفاده از تپ های لیزر فمتوثانیه

در این مقاله سطح ویفر سیلیکون با استفاده از تپ های فوق کوتاه لیزر فمتوثانیه با طول موج 790 نانومتر و پهنای زمانی 50 فمتوثانیه تابش دهی شده است. در ابتدا شار انرژی آستانه برای ایجاد تغییرات سطحی در حدود (0.26J/cm(2 اندازه گیری شد. در اثر اندرکنش تپ های لیزر فمتوثانیه متمرکز شده روی سطح ویفر سیلیکون، خلل و فرج هایی به صورت خودبه خودی روی سطح ایجاد شدند. با انتخاب زاویه تابش 90 درجه و شار انرژی اندکی بالاتر از شار آستانه قله ها و حفره هایی با ابعاد نانومتر ایجاد شدند. تآثیر تعداد و انرژی تپ ها روی ابعاد قله های تشکیل شده بررسی شد و نشان داده شد که با افزایش تعداد تپ، تعداد قله ها افزایش یافته و با افزایش انرژی تپ ها، ابعاد قله ها افزایش می یابد. نشان داده شد که با استفقاده از 10 تپ با شار انرژی (0.26J/cm(2 می توان قله های کوچک نانومتری روی قله های اولیه ایجاد نمود.

کلیدواژه ها:

تخلخل نانومتری ، سیلیکون ، لیزر ، فمتوثانیه