بهبود ماکزیمم چگالی توان و اثر بدنه شناور در LDMOSFET با ایجاد چاه حفره ای SiGe و فلز شناور

ترانزیستورهای اثر میدان نفوذ افقی در راه انداز موتور، سوئیچ های توان و سیستمهای مخابراتی کاربرد دارند. اکثر ترانزیستورهای LDMOS با فناوری SOI ساخته میشوند. برتریهای این فناوری از جمله ایزولاسیون عالی، سرعت بالا و تلفات بدنه پایین باعث شده این نوع ترانزیستور به طور گستردهای در حوزه الکترونیک قدرت به کار رود. هر چند به دلیل وجود لایه اکسید مدفون مشکلاتی برای این ترانزیستور ایجاد میشود که کاربردهای آن را در مدارهای مجتمع توان و ولتاژ بالا محدود میکند، مشکل اصلی، ولتاژ شکست پایین این نوع افزاره هاست. در این مقاله ساختار جدیدی برای بهبود مشخصات الکتریکی ترانزیستور LDMOS معرفی شده است. ساختار LDMOS پیشنهادی دارای پنجره سیلیسیم-ژرمانیوم فرو رفته در زیر کانال عبور جریان و یک صفحه فلزی بین گیت و درین است. تحلیل عملکرد ساختار پیشنهادی توسط شبیه ساز Silvaco TCAD صورت گرفته است که نشاندهنده نتایج قابل توجهی از جمله یکنواختی پتانسیل الکتریکی، افزایش ولتاژ شکست، کاهش اثر بدنه شناور و در نهایت افزایش جریان درین بوده است.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثر میدان ، LDMOS ، ولتاژ شکست ، تکنولوژی سیلیسیم روی عایق