بررسی تقویت کننده های مبتنی بر تکنولوژی cmos با توان مصرفی پایین با کاربرد در سنسورهای تصویری

سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 606

فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

COMCONF06_070

تاریخ نمایه سازی: 24 شهریور 1398

چکیده مقاله:

در این تحقیق هدف بررسی تقویتکننده مبتنی بر تکنولوژی CMOS با توان مصرفی پایین برای کاربرد در سنسورهای تصویری می باشد. بدین منظور تقویت کننده ای که از مدار ABCC (مدار هوشمند جریان بایاس) بهره می گیرد معرفی شده است. این مدار ولتاژهای ورودی را کنترل می کند. سپس جریان بایاس تقویت کننده را به منظور دستیابی به پایداری و توان مصرفی مطلوب و سرعت بالا فراهم می سازد. این مدار با استفاده از نرم افزار Hspice در تکنولوژی های nm 0/18 و nm 90 مبتنی بر CMOS در دو حالت ، همراه و بدون مدار ABCC مورد تحلیل و شبیه سازی قرار گرفته است. نتایج حاصل از شبیه سازی نشان می دهد طراحی با تکنولوژی 90 نانو از لحاظ بهره، حاشیه فاز، سرعت پاسخ دهی وتوان مصرفی در مقایسه با تکنولوژی nm 0/18 ازکارایی بهتری برخوردار است.هم چنین مشاهده کردیم با حذف مدار ABCC علی رغم افزایش بهره ، پایداری مدار دچار خدشه خواهد شد و سیستم بصورت کاملا ناپایدار عمل می کند.

کلیدواژه ها:

تقویتک ننده های مبتنی بر تکنولوژی cmos ، توان مصرفی ، سنسورهای تصویری

نویسندگان

انوشیروان اسفندیاری بهراسمان

کارشناسی ارشد مهندسی برق گرایش کنترل، دانشگاه آزاد واحد سیرجان، سیرجان، ایران

محمد علی محمدی فرد

دکترا مهندسی برق گرایش کنترل، دانشگاه باهنر کرمان، کرمان، ایران