ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید
CIVILICAWe Respect the Science
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
عنوان
مقاله

Silicon Nanowire Fabrication Using Hydrogenation Assisted Plasma Etching Technique

تعداد صفحات: 2 | تعداد نمایش خلاصه: 1117 | نظرات: 0
سال انتشار: 1386
کد COI مقاله: CNS02_192
زبان مقاله: انگلیسی
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

راهنمای دانلود فایل کامل این مقاله

متن کامل این مقاله منتشر نشده و در پایگاه سیویلیکا موجود نمی باشد.

منبع مقالات سیویلیکا دبیرخانه کنفرانس ها و مجلات می باشد. برخی دبیرخانه ها اقدام به انتشار اصل مقاله نمی نمایند.به منظور تکمیل بانک مقالات موجود چکیده این مقالات در سایت درج می شوند ولی به دلیل عدم انتشار اصل مقاله امکان ارائه آن وجود ندارد.

خرید و دانلود فایل مقاله

متن کامل (فول تکست) این مقاله منتشر نشده و یا در سایت موجود نیست و امکان خرید آن فراهم نمی باشد.

مشخصات نویسندگان مقاله Silicon Nanowire Fabrication Using Hydrogenation Assisted Plasma Etching Technique

A Sammak - ECE Department, University of Tehran
S Azimi,
S Mohajerzadeh
H Hosseinzadegan

چکیده مقاله:

A novel method for the fabrication of silicon nanostructures on silicon substrates is reported. This technique relies on a hydrogenation-assisted high aspect ratio plasma etching of Silicon substrates capable of producing nanowires with the height of more than 15 micrometers and width of between 100nm and 600nm

کلیدواژه ها:

Silicon Nanowire; Plasma Etching; Vertical Transistor;

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/91811/

کد COI مقاله: CNS02_192

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
Sammak, A و Azimi,, S و Mohajerzadeh, S و Hosseinzadegan, H,1386,Silicon Nanowire Fabrication Using Hydrogenation Assisted Plasma Etching Technique,دومین کنفرانس نانوساختارها,جزیره کیش,,,https://civilica.com/doc/91811

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1386, Sammak, A؛ S Azimi, و S Mohajerzadeh و H Hosseinzadegan)
برای بار دوم به بعد: (1386, Sammak؛ Azimi, و Mohajerzadeh و Hosseinzadegan)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مدیریت اطلاعات پژوهشی

صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله

اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

علم سنجی و رتبه بندی مقاله

مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
نوع مرکز: دانشگاه دولتی
تعداد مقالات: 55,951
در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

مقالات مرتبط جدید

به اشتراک گذاری این صفحه

اطلاعات بیشتر درباره COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

پشتیبانی