ارائه معیار های موثر در طراحی مدار های مقاوم دربرابرحملات تحلیل توان

سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 366

فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ENSCONG01_037

تاریخ نمایه سازی: 4 شهریور 1398

چکیده مقاله:

امروزه روشهای متعددی برای مقابله با حملات تحلیل توان و بخصوص حملات تحلیل تفاضلی توان که از جمله حملات غیر فعال سخت افزاری کانال جانبی دسته بندی میشوند توسط پژوهشگران در زمینه ها و سطحهای گوناگون ارائه شده است. این پژوهشها از سطوح بالای طراحی مانند لایه گیت تا پایین ترین سطح طراحی مانند لایه ترانزیستور ارائه شده است. در این پژوهشها بازهای از معیارهای مختلف برای طراحی در نظر گرفته شده است. این معیارها در بعضی از موارد با بهبود تعدادی از مولفه ها برخی دیگر از مولفه ها را تحت تاثیر مثبت یا منفی قرار میدهند. توازن توان مصرفی، توان بار خازنی، توازن در مسیریابی و در نهایت داشتن تاخیر متوازن در خروجی باعث ایجاد یک سطح امنیت قابل قبول در مدار طراحی شده میشود. هر چند رسیدن به سطح امنیت کامل مقدور نیست اما میتوان با در نظر گرفتن این مولفه ها در طراحی بهینهترین حالت ممکن در امنیت را بسته به نوع کاربرد مدار بدست آورد. بعضی از این معیارها دارای ارزش بالایی در طراحیها میباشند. ما در این مقاله علاوه بر مرور روشهای مختلف طراحی و آشنایی با مشخصه های خاص هر یک از طراحیهای انجام شده به معرفی و دسته بندی معیارهای مهم و موثر در طراحی این مدارها میپردازیم.

کلیدواژه ها:

حملات سخت افزاری ، حملات تحلیل تفاضلی توان ، طراحی در سطح ترانزیستور

نویسندگان

علیرضا شیرمحمدی یزدی

دانشجو کارشناسی ارشد مهندسی کامپیوتر دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی و فناوری پیشرفته کرمان

حمیدرضا ناجی

عضو هیئت علمی دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی و فناوری پیشرفته کرمان

فاضل شریفی رستم آبادی

عضو هیئت علمی دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی و فناوری پیشرفته کرمان

حسین مومنی

دانشجو کارشناسی ارشد مهندسی کامپیوتر دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی و فناوری پیشرفته کرمان