محاسبه هدایت نوری در ترکیبات نانو گرافنی با تقریب شکاف باند

امروزه بکار گیری گرافن و ساختارهای نانوی آن در صنعت الکترونیک و الکترونیک نوری توسعه زیادی پیدا کرده است. این ساختارها در شکل هایی نظیر نانو نوارها، نانو مش ها و نقاط کوانتومی دیده می شود. محاسبه پارامترهای الکترونیکی و اپتیکی این ساختارها دغدغه اصلی محققین است. از جمله این پارامترها هدایت نوری آن ها بوده که در کاربردهای الکترونیکی و مخابراتی آنها کاربرد زیادی دارد. وجه اشتراک این ساختارها ایجاد شکاف باند در ترازهای انرژی آن ها است. در این مقاله محاسبات روش تقریبی بر مبنای شکاف انرژی برای محاسبه هدایت نوری نانو گرافن ها ارائه و با استفاده از نرم افزار مطلب شبیه سازی شده است و با توجه به شبیه سازی، مشاهده می شود که، افزایش شکاف انرژی منجر به افزایش هدایت نوری از طول موج های بالاتر خواهد شد.

کلیدواژه ها:

ساختارهای نانو گرافنی ، ضریب جذب فوتون ، گرافن ، چگالی حالت های مشترک