مدلسازی نقل و انتقال در ترانزیستورهای اثر میدان مبتنی بر نانولوله های کربنی CNTFETs

سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 282

فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ELEMECHCONF05_309

تاریخ نمایه سازی: 21 خرداد 1398

چکیده مقاله:

مواد نانو شامل فلز، نیمه هادی و عایق هایی هستند که حداقل یکی از ابعادشان در مقیاس نانو می باشد، که این امر منجر به ایجاد تحدید کوانتومی در حرکت الکترون و وابستگی ویژگی های فیزیکی به ابعاد ماده مى شود. با کوچک تر شدن ابعاد قطعات نیمه هادی، رفتار آنها پیچیده تر شده و پدیده های فیزیکی جدیدی در این ابعاد رخ می دهند که به نوبه ی خود باعث ایجاد محدودیت هایی در ویژگی های قطعه می شوند. گذار الکترون در مقیاس نانو به نسبت بین ابعاد نمونه تحت بررسی و پارامترهای مهم متوسط مسیر آزاد و طول موج فرمی الکترون بستگی دارد. از این رو اثرات کوانتومی نقش اساسی در ساختارهای نانومقیاس ایفا می کنند. بنابراین بررسی و توجیه این رفتارهای کوانتومی و به دست آوردن معادلات حرکت مربوط به الکترون ها و توابع موج آنها در ترانزیستورهای اثر میدان با نانولوله های کربنی از اهمیت ویژه ای برخوردار است. در این مقاله به بررسی رفتار نانولوله های کربنی کوتاه با پراکندگی کم در کانال، مکانیک کوانتومی شامل حل معادله شرودینگر برای الکترون استفاده می شود. در نهایت برای استفاده از ویژگی کوانتومی حرکت الکترون و کاربرد آن در قطعات نانوالکترونیک به بررسی روش های کنترل انتقال کوانتومی و تونلزنی الکترون پرداخته می شود.

نویسندگان

سعید معصومی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد تسوج، تسوج، ایران