بهینه سازی گیت های اصلی تریجیتال با استفاده از ترانزیستور های اثر میدان MOSFET و معرفی گیت های 3NOR و 3NAND

سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 525

فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ELEMECHCONF05_182

تاریخ نمایه سازی: 21 خرداد 1398

چکیده مقاله:

سیستم تریجیتال مشابه دیجیتال است، با این تفاوت که از نوعی منطق سه سطحی پیروی می کند. ساخت گیت های منطقی با تکنولوژی ترانزیستورهای دوقطبی دارای مشکلات زیادی از جمله تلفات بالای توان و انرژی و کاهش سطح ولتاژ هستند. این امر کار مجتمع سازی این نوع گیت ها در طراحی مدارات پیشرفته و پیچیده را با سختی مواجه می سازد. لذا در این مقاله قصد داریم گیت های اصلی سیستم تریجیتال را با استفاده از ترانزیستور های اثر میدان، MOSFET، بازسازی نماییم و به معرفی دو گیت اساسی 3NOR و 3NAND بپردازیم.

کلیدواژه ها:

نویسندگان

نریمان محمدی

گروه برق ، دانشکده فنی مهندسی ، دانشگاه سلمان فارسی کازرون ، فارس، ایران

شهاب صفایی جهرمی

گروه برق ، دانشکده فنی مهندسی ، دانشگاه سلمان فارسی کازرون ، فارس، ایران

حمیدرضا قوهستانی

عضو هیات علمی دانشکده برق و الکترونیک ، دانشگاه سلمان فارسی کازرون ، فارس، ایران