بررسی نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش در ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی بر مبنای تغییر در ضخامت عایق گیت

در این مقاله اثر تغییرات ضخامت عایق گیت در تغییر نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش (Ion/Ioff) برای یک ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با گیت هم محور که کانال آن از نانولوله کربنی نیمه هادی زیگزاگ (n,0) بوده، بررسی می گردد. نواحی سورس و درین با آلایش نانولوله و در راستای کانال ایجاد شده اند. شبیه سازی افزاره با استفاده از شیوه تابع گرین غیر تعادلی انجام شده است که معادله پوآسن را به صورت خود سازگار با معادله شرودینگر حل می کند. مشاهد می شود در کل با کاهش ضخامت عایق گیت نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش افزایش می یابد. اما در همه ی موارد شرایط اینگونه نیست. در قطرهای بالا، کاهش ضخامت عایق گیت تا یک مقدار مشخص عملکرد را بهبود می بخشد و کاهش بیشتر، نسبت Ion/Ioff را کاهش می دهد. کاهش قطر کانال نانولوله کربنی نیز موجب بهبود عملکرد ترانزیستور می گردد. همچنین میزان بهبود در عملکرد افزاره با تغییر قطر کانال و ضخامت عایق گیت، در دو ولتاز گیت 1 و 0.4 ولت، مورد بررسی قرار می گیرد.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور نانولوله کربنی ، عملکرد ترانزیستور ، ضخامت عایق گیت ، تابع گرین غیر تعادلی