ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
ورود |عضویت رایگان |راهنمای سایت |عضویت کتابخانه ها
عنوان
مقاله

طراحی یک مدار تمام جمع کننده مد جریان با فناوری 32 نانومتر نانولوله کربنی

سال انتشار: 1397
کد COI مقاله: NEEC05_081
زبان مقاله: فارسیمشاهده این مقاله: 189
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 7 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله طراحی یک مدار تمام جمع کننده مد جریان با فناوری 32 نانومتر نانولوله کربنی

سعید کلانتری دهقی - دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران
سید محمدعلی زنجانی - دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران
مهدی دولتشاهی - دانشکده مهندسی برق، واحد نجفآباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجفآباد، ایران

چکیده مقاله:

یکی از چالش های مهم طراحی مدارهای دیجیتالی رابطه ی بین میزان مصرف انرژی و سرعت مدار برای تغییر در کارایی طراحی است. تمام جمع کننده، اصلی ترین قسمت پردازش در مدارهای مورد استفاده در انجام عملیات محاسباتی ازجمله در کمپرسورها، چک کننده های برابری و غیره است. برای ساخت یک تمام جمع کننده روش های بسیاری وجود دارد. اگرچه تمامی روش ها دارای تابع عملکرد یکسان هستند ولی در نحوه اعمال ورودی ها، روش ایجاد گره های میانی و تعداد ترانزیستورهای به کاررفته تنوع وجود دارد. توان مصرفی کم، نویز پذیری ناچیز، مشابهت کارکرد با MOSFET ، انتقال بالستیک الکترون ها درون کانال و درنتیجه تحرک پذیری بالای آنها از مزایای ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی است.از سوی دیگر، کوچک شدن ولتاژ تغذیه، طراحی مدارهای حالت ولتاژ خطی را مشکل می کند. از طرفی، مدارهای حالت ولتاژ پهنای باند سیگنال را محدود می سازند و دارای امپدانس خروجی کم می باشند. لذا طراحی مدارهای حالت جریان با حساسیت کم نسبت به تغییرات تغذیه و نیز امکان بهتر پردازش سیگنال و انجام اعمال ریاضی مانند جمع، مدنظر طراحان قرار گرفته است. در این پژوهش یک طراحی جدید از تمام جمع کننده مد جریان با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی ارائه می شود. همچنین با استفاده از شبیه سازی مدار پیشنهادی و تعدادی از مدارهای متعارف پیشین در هر دو فناوری CMOS و CNTFET ، عملکرد بهتر تمام جمع کننده مد جریان معرفی شده در فناوری CNTFET رویت می شود. شبیه سازی ها توسط نرم افزار HSPICE و بر اساس مدل استاندارد ارائه شده 32 نانومتر توسط دانشگاه استنفورد در فناوری CNTFET ، در ولتاژ تغذیه 0/9 ولت، دمای 27 درجه سانتیگراد، فرکانس کاری MHz 100 و 10 میلیآمپر جریان برای هر واحد ورودی انجام شده است. مدار پیشنهادی ازلحاظ سرعت، دقت، توان مصرفی، تاخیر و درنهایت PDP در مقایسه با تمام جمع کننده های مد جریان متعارف پیشین همچنین ازلحاظ تعداد ترانزیستور مصرفی نسبت به برخی از آنها عملکرد بهتری از خود نشان می دهد. تاخیر مدار پیشنهادی به میزان 34/3 پیکوثانیه و توان مصرفی متوسط مدار نیز برابر با 11/2 است و درنتیجه حاصل ضرب تاخیر در توان مصرفی PDP آنکه عملکرد کلی مدار را نشان می دهد، برابر با 0/38 فمتوژول است.که نسبت به نمونه مشابه CMOS، 44% بهبود در توان و 88 % بهبود در تاخیر و 93/5%بهبود در PDP را نشان می دهد

کلیدواژه ها:

تمام جمع کننده، ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی، حاصلضرب تاخیر در مصرف توان، ماسفت، مد جریان

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

کد یکتای اختصاصی (COI) این مقاله در پایگاه سیویلیکا NEEC05_081 میباشد و برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/860852/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
کلانتری دهقی، سعید و زنجانی، سید محمدعلی و دولتشاهی، مهدی،1397،طراحی یک مدار تمام جمع کننده مد جریان با فناوری 32 نانومتر نانولوله کربنی،پنجمین کنفرانس ملی مهندسی برق و سیستم های هوشمند ایران،نجف آباد،https://civilica.com/doc/860852

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1397، کلانتری دهقی، سعید؛ سید محمدعلی زنجانی و مهدی دولتشاهی)
برای بار دوم به بعد: (1397، کلانتری دهقی؛ زنجانی و دولتشاهی)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مدیریت اطلاعات پژوهشی

صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

علم سنجی و رتبه بندی مقاله

مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
نوع مرکز: دانشگاه آزاد
تعداد مقالات: 9,249
در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

مقالات پیشنهادی مرتبط

مقالات مرتبط جدید

به اشتراک گذاری این صفحه

اطلاعات بیشتر درباره COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

پشتیبانی