مطالعه آثار غیرخطی سوییچ نمونه گیر و نگهدارنده و پیکربندی یک سوییچ بوت- استرپ در فناوری ترانزیستورهای نانو لوله کربنی با دقت 13 بیت

در این مقاله، سوییچ های MOSFET آنالوگ و آثار غیرخطی سوییچ نمونه گیر مورد بحث قرار گرفته شده است و به صورت خلاصه برخی از دلایل و روش های مداری برای کاهش عملکرد غیرخطی این سوییچ ها تشریح شده است. به منظور بررسی وضعیت ترانزیستورهای نانو لوله کربنی، به عنوان تکنولوژی جایگزین برای ترانزیستورهای CMOS کانال کوتاه، در مدارهای آنالوگ، یک سوییچ بوت- استرپ شده نمونه، توسط این فناوری در نرم افزار شبیه ساز HSPICE اجرا شده است. این در حالی است که در شبیه سازی های انجام شده، ولتاژ تغذیه برابر با 1v و خازن خروجی برابر با 20fT در نظر گرفته شده است. نتایج شبیه سازی ها نشان می دهد که مدار سوییچ بوت- استرپ شده در این شرایط، به ازای یکولتاژ سینوسی 400mV پیک تا پیک با فرکانسورودی 101.5625MHz و نرخ نمونه گیری 1GHz دارای اعوجاج هارمونیکی کل 78dB- و رزولوشن 13 بیت است. از مهمترین نتایج بدست آمده برای مدار سوییچ بوت استرپ، می توان به تغییر 100 اهمی مقاومت کانال در دمای محیط و به ازای ولتاژ خازن 0.8 ولت (ولتاژ گیت- سورسثابت VGS(11)=0.8V) و تغییرات ریل- ریل ورودی اشاره نمود.

کلیدواژه ها:

سوییچ MOS ، سوییچ نمونه گیر ، بوت استرپ ، ترانزیستور نانو لوله کربنی