بررسی خواص ترابردی الکترونها در نیمرسانای InP در میدانهای الکتریکی ضعیف
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1388
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,091
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC88_364
تاریخ نمایه سازی: 28 دی 1388
چکیده مقاله:
با استفاده از روش تکرار، بستگی تحرک پذیری الکترونها به دما و چگالی در نیمرسانای InP محاسبه شده است و نتایج با دو نیمرسانای InAs و Ga0.51In0.49P مقایسه شده است . مکانیزمهای پراکندگی از اتم های ناخالصی یونیده ، و فونون های اپتیکی قطبی و آکوستیکی و همچنین پیزوالکتریکی در این محاسبات در نظرگرفته شده است. نتایج بدست آمده نشان میدهد که تحرک پذیری الکترونی بطور یکنواخت همچنانکه دما از 100oK به 600oK بالا برده میشود، کاهش مییابد. نتایج بدست آمده برای InP در تطابق خوبی با محاسبات دیگران است.
نویسندگان
هادی عربشاهی
گروه فیزیک، دانشگاه فردوسی مشهد
سپیده گل افروز شهری
گروه فیزیک، دانشگاه تربیت معلم، سبزوار