تنظیم دمای گاف نوار نوری در بلورهای فوتونیکی دو بعدی متشکل از مواد نیمرسانا

در این مقاله تنظیم پذیری گاف نواری در بلورهای فوتونی دوبعدی، که در آن حفره های هوا در زمینه ی نیمرسانا ایجاد شده است، در اثر تغییرات دمایی با استفاده از شکل مناسب روش بسط موج تخت، مورد مطالعه قرار گرفته است. نتایج محاسبات عددی نشان می دهند که پهنا و موقعیت نوار ممنوعهی فرکانسی هر دو قطبش الکتریکی و مغناطیسی، به طور قابل ملاحظه ای با دما تغییر می کند.