ساخت لایه های نازک مس با استفاده از روش های الکتروانباشت، الکترولس و تبخیر در خلاء بر زیرلایه سیلیکون و مقایسه ساختار آنها

در این تحقیق لایه های نازک مس بر زیرلایه نیمرسانای سیلیکون به سه روش الکتروانباشت، الکترولس و تبخیر در خلاء رشد داده شدند و ساختار آن ها با استفاده از دستگاه طیف پراش اشعه X مورد مطالعه و بررسی قرار گرفتند. سپس با استفاده از میکروسکوپ SEM ریخت شناسی وترکیب شیمیایی نمونه ها مطالعه و با یکدیگر مقایسه شد. نتایج نشان داد که لایه تولید شده به روش الکتروانباشت ساختاری دانه ای با اندازه متوسط کمتر از 200nm ، به روش تبخیر در خلاء لایه بسیار همگن و یکنواخت و به روش الکترولس ساختار لایه با توجه به دمای رشد متفاوت است و هموارترین نمونه در دمای 47درجه سانتیگراد ایجاد گردیده است.