کاهش نویز همشنوایی با استفاده از ترانزیستور ماسفت در اتصالات میانی به شکل مدل RLCKدرمدارات VLSI

سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 320

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

SASTECH10_001

تاریخ نمایه سازی: 29 اردیبهشت 1398

چکیده مقاله:

با ورود چرخه ساخت تراشه های مدارمجتمع به دوره طراحی زیرمیکرون، تاثیر اثرات الکتریکی نظیر نویز هم شنوایی و مهاجرت الکترون در کارایی سیستم های الکتریکی بسیار زیاد شده است. نویز هم شنوایی به عنوان یکی از مهمترین مسایل در طراحی های 0/18میکرون یا پایین تر از آن به شمار رفته و می تواند باعث تغییردر تاخیر سیگنال ها و مقدار منطقی یک سیگنال شده و به سوء عملکرد مدار منجرگردد. دراین مقاله به معرفی برخی از راه های کاهش هم شنوایی در شبکه های RLCK در مدارات VLSI پرداخته و در ادامه براساس شبیه سازی مدار RLCK و استفاده از ترانزیستور ماسفت بین دو اتصال با استفاده از HSPICE نشان دهیم که هم شنوایی کاهش می یابد که در نهایت موجب افزایش کیفیت عملکرد مدار می گردد.

نویسندگان

الهه شعله ور شکوه

دانشجوی کارشناسی ارشد،دانشگاه آزاد اسلامی واحد بافت دکتری، دانشگاه شهید باهنرکرمان