Ultra-High Sensitive ISFET pH-Meters by Nano-Porous Silicon Structures as Sensitive Membrane
محل انتشار: سومین کنفرانس نانوساختارها
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 2,175
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CNS03_289
تاریخ نمایه سازی: 21 دی 1388
چکیده مقاله:
Nano-porous structures were utilized on the sensitive surface of ISFET devices to improve their sensitivity as pH meters. The proposed sensor presents an ultra-high sensitivity pH-meter to detect H+ or OH- in electrolytes. This pH-meter is a field effect transistor with a non-symmetric gate capacitance. The area of the exposed surface is numerously larger than that of the channel area. Using this method the effective gate capacitance increases significantly. Because of 3-dimentional geometry of the nano-porous poly-silicon region the amount of the adsorbed charges increases and consequently the sensor response is dramatically higher.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
M Shahmohammadi
Thin Film and Nano-electronic Lab, Department of Electrical Engineering, University of Tehran
N Zehfroosh
Thin Film and Nano-electronic Lab, Department of Electrical Engineering, University of Tehran
S Mohajerzadeh
Thin Film and Nano-electronic Lab, Department of Electrical Engineering, University of Tehran
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :