Highly Controlled Electrolysis Using Carbon NanoTubes in MOSFET Transistor

سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 1,765

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

CNS03_288

تاریخ نمایه سازی: 21 دی 1388

چکیده مقاله:

A novel structure of Field-Effect Transistor (FET) combined with Carbon Nano-Tubes (CNT) has been constructed, proposed and used for controlled electrolysis. The MOSFET is made according to Standard NMOS Fabrication flow chart using the advantage of self-aligned process. Since the growth is done in the plasma and high temperature environment, we observed that the impurities escaped from the MOSFET and it does not work. So a thick layer of chromium (200nm) is deposited on the whole structure as a passivating layer and just the drain region of the MOSFET is exposed using the conventional photolithography. Afterward a thin layer of nickel (10nm) is deposited and patterned as the catalyst of CNT growth. the CNTs are grown in a DC-PECVD system. Following this step, the chromium layer is etched away completely. After the growth, the transistors need an annealing process in Argon chamber at 500oC for 5 hours to retrieve their electrical behaviour. We believe this happens because the atomic hydrogen can pass through the chromium layer and passivate the impurities. In this structure, the CNT collection is used as one-side electrode of electrolysis and the MOSFET acts as the current controller. We tested the structure to electrolyze a mixture of water and salt and observed a well controlled electrolysis current-voltage characteristics.

نویسندگان

J Naghsh Nilchi

Thin Film and Nano Electronics Lab, School of Electrical and Computer Engineering, University of Tehran

S Mohajerzadeh

Thin Film and Nano Electronics Lab, School of Electrical and Computer Engineering, University of Tehran

M Kayyalha

Thin Film and Nano Electronics Lab, School of Electrical and Computer Engineering, University of Tehran

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • _ of Chemistry and Physics, _ Edition 2007, Chemical Rubber ...
  • S.H.Lee, "Electrical properties of carbon films by electrolysis method", ...
  • Materials and Devices Conference, 2006. NMDC 2006, IEEE, Oct. 2006, ...
  • , 6V). As can be seen, the gate has a ...
  • نمایش کامل مراجع