New Feasible and Realizable 2 and 4 Transistors CNT Full Adder Cells

سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 1,848

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

CNS03_255

تاریخ نمایه سازی: 21 دی 1388

چکیده مقاله:

An ultra high speed two transistor Full Adder is presented in this article. The main purpose of designing this full adder is achieving a very high speed Full Adder. In CMOS conventional adder cells up to 28 transistors are used in order to implement it. In this design based on Carbon Nanotube (CNT) and Majority function we have achieved a significant improvement in terms of speed. Besides, in order to reduce the power dissipation we propose another 4 transistors full adder which is slightly slower than the 2 transistors but consumes much less power. Simulation results demonstrate improvement in terms of power-delay product and significant improvement in terms of speed in comparison to the conventional and current implementation of the 1-bit Full Adder cells.

نویسندگان

Keivan Navi

Department of Electrical & Computer Engineering Shahid Beheshti University, Tehran

Omid Daei

Nano-Technology & Quantum Computing Lab of Shahid Beheshti University, GC and IAU, Tehran, Iran

Peiman Keshavarzian

Nano-Technology & Quantum Computing Lab of Shahid Beheshti University, GC and IAU, Tehran, Iran,

Mohammad Reza Saatchi

Nano-Technology & Quantum Computing Lab of Shahid Beheshti University, GC and IAU, Tehran, Iran,

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • D.J. Yanga, Qing Zhang, S.G. Wanga, G.F. Zhong :Memory effects ...
  • J. B. Cui, R. Sordan, M. Burghard, and K. Kern ...
  • M. Pourfath, et al _ "Numerical Analysis of Coaxial Double ...
  • J. Guo, A. Javey, H. Dai, S. Datta, and M. ...
  • V _ Foroutan , K.Navi and M.Haghparast, "A new low ...
  • K. Navi, V. Foroutan, M. Rahimi Azghadi, M. Maeen, M. ...
  • Peiman Keshavarzian, Keivan Navi, " Universal ternary logic circuit design ...
  • نمایش کامل مراجع