بررسی تغییرات ترازهای انرژی حفره نقاط کوانتومی کروی GaN با ساختار زینک بلند در حضورمیدان الکتریکی
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1387
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,358
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC87_283
تاریخ نمایه سازی: 24 آذر 1388
چکیده مقاله:
قاط کوانتومی نیمرسانا، یک نانوساختار می باشد که در آن حرکت الکترون در هر سه بعد محدود شده است، نقاط کوانتومی نیتریدی در مقایسه با نقاط کوانتومی گروه III -VI و III -V خواص متفاوتی دارندو دارای دو ساختار ورتسایت و زینک بلند هستند. در این مقاله اثر میدان الکتریکی روی نقطه کوانتومی GaN در چارچوب تئوری k.p بررسی شده و وابستگی انرژی حفره در میدان اعمالی برحسب اندازه نقطه کوانتومی و میزان میدان اعمالی محاسبه شده است. نتایج بدست آمده، نشان میدهد که ترازهای انرژی حفره GaN شدیداً تحت تاثیر میدان قرار میگیرد و انرژی پایین ترین حالات نقاط کوانتومی نیتریدی با افزایش میدان کاهش می یابد.
نویسندگان