شبیه سازی ترانزیستور اثرمیدانی غیرپیوندی با دو ماده مختلف در محیط نرم افزار سیلواکو جهت بهبود شاخص های الکتریکی با تکنیک های مهندسی افزاره

سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 664

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

QCEEC01_050

تاریخ نمایه سازی: 3 اردیبهشت 1398

چکیده مقاله:

در این مقاله ترانزیستور اثر میدانی غیر پیوندی با دو ماده مختلف در محیط نرم افزار Silvaco شبیه سازی می شود. بر اساس ایده های افزایش تدریجی تابع کار الکترود گیت و اکسید جداکننده بین گیت و نواحی سورس و درین با ضریب دی الکتریک بالا، افزاره شبیه سازی شده و نتایج بررسی می شوند. جریان خاموشی، جریان روشنی و نسبت جریان روشنی/ جریان خاموشی توسط الگوی نوار انرژی مورد ارزیابی قرار می گیرند. نتایج حاصل از شبیه سازی ساختار ها با یکدیگر مقایسه شده و ساختار بهبود یافته معرفی می شود.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثر میدانی ، بدون پیوند ، تابع کار ، اکسید با ضریب دی الکتریک بالا

نویسندگان

امیررضا بزرگی گل افزانی

دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق- مدارهای مجتمع الکترونیک ، دانشگاه آزاد اسلامی ، واحد رشت، رشت

سید علی صدیق ضیابری

استاد یار گروه برق ، دانشگاه آزاد اسلامی ، واحد رشت ، رشت ، ایران