تحلیل عددی تاثیر ناپایداری مارانگونی بر میدان جریان شاره در رشد بلور گالیوم آرسناید

برای تحقیق در اثر ناپایداری بنارد- مارانگونی بر میدان جریان شاره در آرایش دوبعد GaAs/LEC ، معادلات ناویر- استوکس برای انتقال مومنتم و حرارت، شامل فرایند انجماد، به روش تفاضل های محدود ( FDM) حل شده است. نتایج محاسبات عددی حاظر حوزه تفوق جریان ناشی از تنش سطحی مذاب را به ضخامت لایه ای مانند δS≤1mm در سطح سیال محدود می کند و نشان می دهد که نسبت بزرگی توابع جریان شناوری و جریان مارانگونی در عمق مذاب ψβ/ψσ>1 است.در عین حال دامنه ی نفوذ ناپایداری بنارد- مارانگونی -بسیار عمیق تر از δS است و به نحو قابل مشاهده و متمایزی مولفه های میدان سرعت شاره را تحت تاثیر قرار می دهد. افزایش عمق فصل مشترک فازهای جامد مایع ( S/L) به دلیل حضور جریان همرفت مارانگونی مورد بحث قرار گرفته است.