تاثیر ذخیره‎ساز گاف باندی فوتونیکی بر درهمتنیدگی اتم و گسیل خودبخودی آن

سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 892

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

IPC87_014

تاریخ نمایه سازی: 24 آذر 1388

چکیده مقاله:

در این مقاله اثر ذخیره ساز گاف باند فوتونیکی بر درهمتنیدگی اتم سه ترازی نوع ʌ و میدان گسیل خودبخودی اش بررسی میشود. فرض میشود که فرکانس یکی از گذارهای اتمی در نزدیکی لبه گاف باند فوتونیک قرار دارد. نشان داده میشود که اگر فرکانس گذارهای اتمی دیگرنیز درون گاف باند فوتونیک واقع شود (اندکنش با ذخیره ساز گاف باند فوتونیک) در این صورت حالت اتم و تابش خودبخودی آن حتی در حالت پایا نیز درهم تنیده باقی خواهند ماند. اما اگر فرکانس گذارهای اتمی دیگر کاملاًخارج از گاف باند فوتونیک واقع شود (اندرکنش با ذخیره ساز فضای آزاد) در این صورت درهم تنیدگی اتم و تابش خودبخودی آن در حالت پایا رفع میشود.

نویسندگان

صمد روشن انتظار

دانشکده فیزیک دانشگاه تبریز