تقویت کننده عملیاتی با بهره بالا مناسب برای طبقه اول مبدل آنالوگ به دیجیتال خط لوله ای 12 بیتی با فرکانس نمونه برداری 200MS/s
محل انتشار: سومین کنفرانس بین المللی مهندسی برق
سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 332
فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICELE03_261
تاریخ نمایه سازی: 18 اسفند 1397
چکیده مقاله:
در این مقاله طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده تفاضلی سرعت بالا و گین کافی برای طبقه اول مبدل آنالوگ به دیجیتال خطلولهای با رزولوشن 12 بیت و فرکانس 200Ms/s با طبقات درونی 4-2/5-2/5-2/5-2/5 بیتی ارایه می شود. هسته اصلی این تقویت کننده، ساختار کسکود تاشده با ورودی های تفاضلی NMOS می باشد. برای افزایش بهره هسته اصلی تقویت کننده از تکنیک گین بوستینگ استفاده شده است. این تقویت کننده در تکنولوژی 0/18μm CMOS طراحی و شبیه سازی شده و دارای بهره 81/38dB، پهنای باند بهره واحد 1/69GHz و حاشیه فاز 48/7 درجه می باشد. در این تقویت کننده محدوده مد مشترک ورودی بین 0/7V تا 1/75V، مقدار سویینگ قله به قله خروجی برابر با 874/5mV و توان مصرفی آن در ولتاژ تغذیه 19/97mW, 1/8V می باشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
امین شیخی
گروه برق، دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه زنجان، زنجان، ایران
سیروس طوفان
استادیار گروه مهندسی برق، دانشگاه زنجان، زنجان، ایران