طراحی یک تقویت کننده ولتاژ پایین با افزایش هدایت انتقالی طبقه ورودی و روش گیت شبه شناور

سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 330

فایل این مقاله در 14 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICELE03_202

تاریخ نمایه سازی: 18 اسفند 1397

چکیده مقاله:

در این مقاله یک تقویت کننده توان پایین فولدد کسکود راه اندازی ورودی بدنه طراحی و شبیه سازی شده است. به عبارتی،جهت افزایش سویینگ ولتاژ ورودی در تغذیه های پایین، از تکنیک بالک درایو در ورودی استفاده میشود تا تغییرات ولتاژ مد مشترک ورودیمنجر به کاهش خطینگی مدار نشود. با این حال، هدایت انتقالی ناشی از بدنه (بالک) به مراتب کمتر از هدایت انتقالی ناشی از ترمینال گیت است که برای جبران این کاهش هدایت انتقالی از تکنیک های افزایشی استفاده می شود. نتیجتا تقویت کننده مذکور در تکنولوژی 180nm-CMOS شبیه سازی شده که نتایج نشان میدهد در ولتاژ تغذیه 0.5V و توان مصرفی 25nW بهره فرکانس پایین و فرکانس بهره واحد تقویت کننده به ترتیب برابراند با 54dB و 16.8KHz.

نویسندگان

علیرضا حسن زاده

استادیار دانشکده مهندسی برق دانشگاه شهید بهشتی

رویا انوری

دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده فنی تهران مرکز