ترانزیستور فینفت تونلی InGaAs/InAlAs با شیب زیرآستانه کوچک

سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 620

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICELE03_175

تاریخ نمایه سازی: 18 اسفند 1397

چکیده مقاله:

در این مقاله سعی بر این است با بررسی فینفت تونلی سیلیکون برعایق عملکرد این قطعه را بررسی کنیم و با ترکیبات سه گانه InGaAs/InAlAs طراحی نماییم. در این طراحی به شیب زیر آستانه 45mv/dec با درصد موبیلیتی In(0.4)Al(0.6)AS برای کانال In(0.6)Ga(0.4)AS برای سورس رسیدیم که از محدودیت ماسفت کمتر است.

نویسندگان

حسن پورآذین

گروه برق، دانشکده مهندسی، موسسه آموزش عالی ابن یمین، سبزوار، ایران

سیده فاطمه استیری

گروه برق، دانشکده مهندسی، موسسه آموزش عالی ابن یمین، سبزوار، ایران

سیدابراهیم حسینی

استاد گروه برق، دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه فردوسی، مشهد، ایران