ترانزیستور فینفت تونلی InGaAs/InAlAs با شیب زیرآستانه کوچک

در این مقاله سعی بر این است با بررسی فینفت تونلی سیلیکون برعایق عملکرد این قطعه را بررسی کنیم و با ترکیبات سه گانه InGaAs/InAlAs طراحی نماییم. در این طراحی به شیب زیر آستانه 45mv/dec با درصد موبیلیتی In(0.4)Al(0.6)AS برای کانال In(0.6)Ga(0.4)AS برای سورس رسیدیم که از محدودیت ماسفت کمتر است.

کلیدواژه ها:

فین فت تونلی ، سه گیتی ، سیلیکون بر عایق ، اثرات کانال کوتاه