ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
ورود |عضویت رایگان |راهنمای سایت |عضویت کتابخانه ها
عنوان
مقاله

The first-principle study of N2O gas interaction on the surface of pristine and Si-, Ga-, SiGa-doped of armchair boron phosphide nanotube using DFT method

سال انتشار: 1395
کد COI مقاله: JR_PSI-16-3_006
زبان مقاله: انگلیسیمشاهده این مقاله: 187
فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 12 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله The first-principle study of N2O gas interaction on the surface of pristine and Si-, Ga-, SiGa-doped of armchair boron phosphide nanotube using DFT method

m Rezaei-Sameti - Department of Physical Chemistry, Faculty of Science, Malayer University, Malayer, Iran
kh Hadian - Department of Physical Chemistry, Faculty of Science, Malayer University, Malayer, Iran

چکیده مقاله:

In present research, the electrical, structural, quantum and Nuclear Magnetic Resonance (NMR) parameters of interaction of N2O gas on the B and P sites of pristine, Ga-, Si- and SiGa-doped (4,4) armchair models of boron phosphide nanotubes (BPNTs) are investigated by using density functional theory (DFT). For this purpose, seven models for adsorption of N2O gas on the exterior surfaces of BPNTs have been considered and then all structures are optimized by B3LYP level of theory and 6–31G (d) base set. The optimized structures are used to calculate the electrical, structural, quantum and NMR parameters. The computational results revealed that the adsorption energy of all studied models of BPNTs is negative; all processes are exothermic and favorable in thermodynamic approach. When N2O gas is adsorbed from its O atom head on the B site of nanotube, N2O gas is dissociated to O atom and N2 molecule. The adsorption energy of this process is more than those of other models and more stable than other models. In A, B and C models, the global hardness decreases significantly from original values and so the activity of nanotube increases from original state. On the other hand, the electrophilicity index (ω), electronic chemical potential (μ), electronegativity (χ) and global softness (S) of the A, B and C models increase significantly from original value and CSI values of the C model are larger than those of other models. The results demonstrate that the Ga-, Si- and SiGa- doped BPNTs are good candidates to adsorb N2O and make N2O gas sensor.

کلیدواژه ها:

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

کد یکتای اختصاصی (COI) این مقاله در پایگاه سیویلیکا JR_PSI-16-3_006 میباشد و برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/820375/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
Rezaei-Sameti, m and Hadian, kh,1395,The first-principle study of N2O gas interaction on the surface of pristine and Si-, Ga-, SiGa-doped of armchair boron phosphide nanotube using DFT method,https://civilica.com/doc/820375

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1395, Rezaei-Sameti, m؛ kh Hadian)
برای بار دوم به بعد: (1395, Rezaei-Sameti؛ Hadian)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مدیریت اطلاعات پژوهشی

صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

علم سنجی و رتبه بندی مقاله

مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
نوع مرکز: دانشگاه دولتی
تعداد مقالات: 2,361
در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

مقالات مرتبط جدید

به اشتراک گذاری این صفحه

اطلاعات بیشتر درباره COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

پشتیبانی