وابستگی مقاومت الکتریکی سیم های باریک به میدان مغناطیسی و دما

در این مقاله تغییرات مقاومت الکتریکی سیمهای نانویی بیسموت بر حسب دما و میدان مغناطیسی مطالعه گردیده است. به همین منظور اثر پیکر و پراکندگی سطحی حاملها، در سیمهای باریک را برای سیستمهایی با سطوح فرمی بیضوی مورد بررسی قرار دادهایم. نتایج به دست آمده با داده های تجربی تطبیق داده شده اند.

کلیدواژه ها:

اثر پیکر ، سطح فرمی بیضوی ، بازتاب آینه ای