مطالعه ی مکانیزم جوانه زنی و رشد لایه نشانی الکتروشیمیایی لایه های نارک نیکل بر روی مس
محل انتشار: همایش ملی مهندسی شیمی
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,054
فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCCEESLAMSHAR01_208
تاریخ نمایه سازی: 9 آبان 1388
چکیده مقاله:
لایه نشانی الکتروشیمیایی نسبت به دیگر تکنیکهای لایه نشانی دارای امتیازاتی از قبیل انعطاف پذیری و هزینه پایین فرایند است. کنترل دقیق روی نشست الکتروشیمیایی نیازمند داشتن اطلاعات کافی در مورد جوانه زنی و رشد لایه هایی است که می توانند بوسیله تکتینک های لایه نشانی مطالعه شوند در این تحقیق ما مکانیزم جوانه زنی و رشد نیکل را از یک حمام سولفاتی ساده برروی زیرلایه مس مورد مطالعه قرار داده ایم نتایج ولتامتری سیکلی و جریان گذرا ثبت شده در طی لایه نشانی الکتروشیمیایی نیکل روی مس برای ارزیابی نشست الکتروشیمیایی نیکل استفاده شده است. نتایج نشان دادند که نیکل از پتانسیل اسمی V -0.7 شروع به رشد برروی مس می کند با افزایش سرعت جاروب، منحنی های ولتامتری سیکلی باعث انتقال پیک های احیای نیکل به سمت مقادیر منفی تر می شوند ما منحنی های بدون بعد را برطبق تئوری شریفکیر - هیلز رسم کرده ایم و یک مکانیزم جوانه زنی و رشد آنی برای نیکل برروی مس براساس شرایط این آزمایش برآورد کرده ایم. همچنین براساس تصاویر SEM بدست آمده از غلظت های مختلف حمام سولفاتی، جوانه زنی و رشد آنی نیکل به خوبی مشاهده می شود و با توجه به این تصاویر به طور واضح مشخص است که اندازه جوانه های بدست آمده کمتر از nm100 است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سیدمهدی جان جان
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی مواد - نانو مواد دانشگاه صنعتی سهند تبری
فرزاد نصیرپوری
استادیار دانشکده مواد دانشگاه صنعتی سهند تبریز
میرقاسم حسینی
دانشیار دانشکده شیمی دانشگاه تبریز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :