محاسبه خاصیت دی الکتریکی لایه های نازک SiO2 و Ta2O5 با استفتده از الگوی صفحات موازی

دراین الگو نیروی جاذبه بین سوزن میکروسکوپ نیرو اتمی و سطح را برای لایه ی نازکی از جنس Ta2O5 _ SiO2 و ترکیبات مشابه که روی زیر لایه Si نوع N قرار دارد با اعمال ولتاژ بایاس ثابت محاسبه شده است بر هم کنش غالب بین سوزن و سطح نیروی واندروالس بوده ولی هنگامی که ولتاژ بایاس مناسبی به سیستم وارد میشود نیروی جاذبه افزایش یافته که ناشی از بر هم کنش کلونی است نتایج بدست آمده حاکی از خاصیت ضعیف تر دب الکتریکی Ta2O5 نسبت به Sio2 بر خلاف انتظرات تئوری است.