طراحی تقویت کننده کم نویز فوق پهن باند با استفاده از تکنیک حذف نویز و استفاده مجددجریان

در این مقاله یک تقویت کننده کم نویز فوق پهن باند در باند فرکانسی3-12GHz با گین15.2dB و عدد نویز 1.64-2.27dB با استفاده از تکنولوژی0.18μm-CMOS طراحی و شبیه سازی شده است. در این مدار، ترکیبی از تکنیک حذف نویز و استفاده مجدد جریان برای کاهش نویز و توان مصرفی استفاده شدهاست، درحالی که گین و خطسانی بهبود قابل توجهی یافته است. منبع نویز غالب، با تکنیک حذف نویز، از بین میرود. علاوه بر این، تطبیق امپدانس ورودی مطلوب با استفاده از هر دو تکنیک سلف سورس دیجنریت شده و فیدبک مقاومتی بدست آمده است. تطبیق امپدانس ورودی کمتر از-10dB می باشد. توان مصرفی تقویت کننده از منبع ولتاژ1.8V، 23.23mW میباشد.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده کم نویز ، فوق پهن باند ، تکنیک لغو نویز ، معماری استفاده مجدد جریان