بررسی، مطالعه و شبیه سازی دیود بهمنی سیلیکونی (SiAPD)

سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 544

فایل این مقاله در 14 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

IRCIVILC02_113

تاریخ نمایه سازی: 13 مهر 1397

چکیده مقاله:

مدل سازی ادوات نیمه هادی در چالش برانگیزترین فعالیت های تحقیقاتی اجباری شده است. پیدا کردن یک ابزار قوی که اینادوات را مدل سازی کند یکی از اهداف محققان است. COMSOL Multiphysics ابزاری است که برای شبیه سازی و توصیف این طراحی انتخاب شده است. تنظیم مدل ارایه شده و همچنین خروجی های مختلف مانند میدان الکتریکی و توزیع پتانسیلالکتریکی، مشخصه های I-V، و دیگر پارامترها نمایش داده شده اند. جریان خروجی، جذابیتی از یک جریان را نشان می دهد که شامل سه بخش است: تونل زنی تله-کمک، تونل زنی باند به باند و بهمن. این نواحی جریان علاوه بر مقدار بالای میدان الکتریکی به دست آمده 10(5)v/cm برای دیودهای بهمنی سیلیکونی SiAPD، متعارف می باشند. این امکان برای استفاده از این ابزار برای آنالیز و شبیه سازی SiAPD شرح داده شده است.

کلیدواژه ها:

کامسول ، نیمه هادی و دیود ، مدلسازی ، سیلیکن

نویسندگان

رضا ثابت قدم

دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه حکیم سبزواری

نادر برآبادی

دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه حکیم سبزواری

ناصر برآبادی

دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه حکیم سبزواری