بررسی اثر زیرلایه با مواد مختلف در سلول های خورشیدی GaInP/GaAs با استفاده از CdTe به عنوان ماده تونل زنی

در این مقاله اثر تغییر زیرلایه را با استفاده از مواد مختلف در ساختار سلول خورشیدی GaInP / GaAs با ماده تونل زنی (CdTe) که قبلا انجام داده بودیم را در نرم افزار سیلواکو اطلس بررسی نمودیم و نشان دادیم که با توجه به خواص فیزیکی GaAs یکی از بهترین مواد در استفاده از آن به عنوان زیرلایه است. از آنجایی که باند شکاف کادمیوم تلوراید نزدیک به گالیم آرسناید است، مقدار کمیت های بدست آمده تقریبا با هم یکی است. طیف مورد استفاده در شبیه سازی ها AM1.5 است.

کلیدواژه ها:

سلول خورشیدی ، زیرلایه ، اثر زیرلایه ، چند پیوندی ، GaInP / GaAs ، CdTe