بررسی اثر زیرلایه با مواد مختلف در سلول های خورشیدی GaInP/GaAs با استفاده از CdTe به عنوان ماده تونل زنی

سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 393

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

GERMANCONF01_192

تاریخ نمایه سازی: 26 مرداد 1397

چکیده مقاله:

در این مقاله اثر تغییر زیرلایه را با استفاده از مواد مختلف در ساختار سلول خورشیدی GaInP / GaAs با ماده تونل زنی (CdTe) که قبلا انجام داده بودیم را در نرم افزار سیلواکو اطلس بررسی نمودیم و نشان دادیم که با توجه به خواص فیزیکی GaAs یکی از بهترین مواد در استفاده از آن به عنوان زیرلایه است. از آنجایی که باند شکاف کادمیوم تلوراید نزدیک به گالیم آرسناید است، مقدار کمیت های بدست آمده تقریبا با هم یکی است. طیف مورد استفاده در شبیه سازی ها AM1.5 است.

نویسندگان

منصور نصری

کارشناس ارشد الکترونیک، دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره)

روح الله بهمزک

دانشجوی کارشناس ارشد الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد ابهر