الکترونیک در ابعاد اتمی
محل انتشار: کنگره بین المللی علوم و مهندسی
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 617
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
GERMANCONF01_185
تاریخ نمایه سازی: 26 مرداد 1397
چکیده مقاله:
مدارها در بخش الکترونیک از ترانزیستورهای NMOS و Pmos به صورت مکمل در کناره هم قرار گرفته اند و به مجموعه ی این مدارها COMS نامیده می شود. در نتیجه امروزه بیشتر مدارها بر روی CMOS ها برقرار است. در نیمه قرن بیستم تحولی عظیم در ادوات الترونیکی ایجاد شد و ترانزیستورها در ساخت مدارات الکترونیکی مجتمع به نیازهای اساسی تبدیل شده است. ساختار نیمه هادی امروزه در بخش مدارهای نیمه رسانا استفاده می شود OFET عملکردن بایان را به عهده دارند و با توجه به اینکه ساختار خازنی در گیت با وارد شدن الکترودهای درین و سورس در مجاورت عایق گیفت و همینطور تشکیل یک کانال هدایت کنترل با ولتاژ گیت می باشد برای این منظور لوله ها با کانال ها در زمینه ی ارتباط ها و سرعت داده ها بیش از اندازه قابل اهمیت می باشد. در اولین نسل از ترانزیستورها می توان گفت با بزرگ بودن مدار پیچیدگی آنها کمتر بود ولی با کوچک شدن آنها پیچیدگی مدارها نیز بیشتر شد. در سال 1895 لایه های اتصالی در بین مدارها بسیار مهم بود ولی با وارد شدن نانو به این عرصه می توان گفت در سال تعداد لایه ها از 0222 عدد به پنج عدد رسید.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
ریوف میلان نورانی
کارشناس مهندسی پزشکی دانشگاه علوم پزشکی ارومیه
آیدین مرادخانی
عضو باشگاه پژوهشگران و محققین ایران
مهلا صنفی
کارشناس مهندسی پزشکی دانشگاه علوم پزشکی ارومیه
الهام نادرعلی
کارشناس مهندسی پزشکی دانشگاه علوم پزشکی ارومیه