شبیه سازی و تحلیل ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با مدل اشباع سرعت

در این مقاله ترانزیستور اثر میدانی با کانال نانولوله کربن با لحاظ کردن اشباع حاملها شبیهسازی شده است. تاثیر پارامترهایی مانند طول نانولوله، قطر نانولوله وسرعت اشباع حاملها بر مشخصات الکترونیکی ترانزیستور بررسی و تحلیل شده است. برای CNT-FET با لحاظ کردن اشباع حاملها، منحنی جریان-ولتاژ قبل و بعد از اشباع حامل رفتار متفاوتی از خود نشان میدهد. همینطور رفتار تک قطبی و Ambipolarترانزیستور استخراج و بررسی شده است. بر اساس نتایج شبیهسازی، با کاهش طول نانولوله، افزایش قطر نانولوله و افازیش سرعت اشباع حامل-ها جریان درین افزایش مییابد.

کلیدواژه ها:

اشباع سرعت حامل ، ترانزیستور اثر میدانی ، نانولوله کربن ، منحنی مشخصه جریان ولتاژ