سنتز فیلم های رسانایITO/TiO2/ITO به روش غوطه وری و بررسی خواص آنها

سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 477

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

SCMI21_004

تاریخ نمایه سازی: 16 تیر 1397

چکیده مقاله:

لایه نشانی فیلم لایه نازک ITO روی نمونه ITO/TiO2 و تشکیل ساختار ساندویچی ITO/TiO2/ITO باعث افزایش رسانایی این فیلمها میشود. فیلم های لایه نازک ITO/TiO2/ITO به روش غوطه وری تهیه و در دمای 500 C تحت عملیات حرارت دهی قرار گرفت. خواص ساختاری، مورفولوژی و الکتریکی این نمونه ها به ترتیب به وسیله XRD، SEM و دستگاه چهار ترمینالی مورد بررسی قرار گرفت. الگوی XRD نشان میدهد که ساختار کریستالی ITO/TiO2/ITO به دلیل حضور ITO به عنوان لایه سوم و همچنین قرار گرفتن تحت دو بار عملیات حرارت دهی، بهبود یافته است. مقاومت ویژه فیلمها از مقدار 6/4 × 10-3 cm برای ITO/TiO2 (نمونه ( 2 به 5/32 × 10 -3 cm برای ITO/TiO2/ITO (نمونه (3 کاهش یافت که این کاهش در مقدار مقاومت همانطور که اشاره شد به دلیل عملیات حرارت دهی مکرر و همچنین افزایش سایز ذرات و کاهش مرز بین دانه ها در نمونه ITO/TiO2/ITO صورت گرفته است. تغییرات مربوط به تراکم فیلم ها به وسیله تصاویر SEM تایید شد.

نویسندگان

علیرضا رضوانی

گروه شیمی، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، ایران

سجاد رخشانی

گروه شیمی، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، ایران