بررسی عددی تاثیر میدان مغناطیسی بر جابجایی اجباری نانوسیال آب_اکسید روی در یک انبساط ناگهانی
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 417
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICCONF03_198
تاریخ نمایه سازی: 2 تیر 1397
چکیده مقاله:
در این پژوهش به مطالعه عددی جریان و انتقال حرارت در یک کانال با انبساط ناگهانی پرداخته شده است. هندسه مورد نظر در نرم افزار گمبیت رسم و شبکه بندی شده و در نرم افزار فلوینت تحلیل شده است. جریان متلاطم و مدل استفاده شده در کار حاضر مدل k-ɛ می باشد. اثر کسر حجمی (ϕ=1،2،3،4%) نانوذره اکسید روی، عدد رینولدز (10000-5000) و میدان مغناطیسی (Ha=0،10، 20) بر پارامترهای جریان و انتقال حرارت بررسی شده است. در پایان مشاهده شد که افزایش میدان مغناطیسی و کسر حجمی نانوسیال باعث افزایش ضریب انتقال حرارت جابجایی و تنش برشی دیواره می شود.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سیدمهدی ابراهیمی
کارشناسی ارشد، گروه مکانیک، واحد مشهد، دانشگاه آزاد اسلامی، مشهد، ایران
ایمان زحمتکش
استادیار، گروه مکانیک، واحد مشهد، دانشگاه آزاد اسلامی، مشهد، ایران