بررسی عملیات حرارتی برروی خواص لایه های نازک (ITO) سنتز شده طی فرایند اکسیداسیون( Sn(II به (Sn(IV
محل انتشار: شانزدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 874
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOPTICP16_091
تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1388
چکیده مقاله:
دراین مقاله لایه های نازک ITO توسط تکنیک سل - ژل و روش غوطه وری روی شیشه نشانده شدند. اگزالات قلع (II) و نیترات ایندیم و I2 جهت اکسیداسیون قلع (II) به قلع (IV) به عنوان مواد اولیه استفاده شد. جهت بهبود خواص، لایه ها در دماهای مختلف تحت عملیات حرارتی قرار گرفتند. مورفولوژی سطحی، خواص ساختاری، اپتیکی و الکتریکی لایه ی توسط آنالیز های SEM,XRD طیف سنجی، Uv-vis و سیستم چهار ترمینالی مورد بررسی قرار گرفت. طیف XRD لایه ها نشان دهنده ی ساختار بیکس - بایت ITO است. لایه های تهیه شده در دمای 550C دارای کمترین میزان مقاومت الکتریکی (4 10 ×4.3W/sq ) و بیشترین میزان عبور نوری در ناحیه ی Uv-vis حدود 87% است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :