سنتز لایه ی نازک ITO توسط تکنیک سل - ژل طی فرایند اکسیداسیون قلع (II) به قلع (VI)
محل انتشار: شانزدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,021
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOPTICP16_089
تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1388
چکیده مقاله:
در این تحقیق نانولایه های نازک ITO توسط تکنیک سل - ژل تهیه و با روش غوطه وری روی لام میکروسکوپی نشانده شدند. برای تهیه ی سل معمولا از نمک قلع (VI) استفاده می شود. از آنجایی که استفاده از نمکهای قلع (II) مقرون به صرفه تر است. در این تحقیق اگزالات قلع (II) و ایندیم فلزی به عنوان مواد اولیه و I2,H2O2 به عنوان اکسنده استفاده شد. ید نسبت به آب اکسیژنه نتایج بهتری را به همراه داشت. الگوی XRD تولید ساختار بلورینه ی ITO را تایید نمود تصویر SEM یکنواختی ITO را نشان داد. میزا عبور درناحیه UV-VIS (حدود 88% ) و میزان مقاومت الکتریکی در حدود 4 10 ×3/4W/sq بدست آمد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
نهال بهشتی نژاد
دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، دانشکده علوم، گروه شیمی خیابان
فلورا حشمت پور
دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، دانشکده علوم، گروه شیمی خیابان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :